Self-limiting etching method with multiple levels

• Main Authors: CHEVOLLEAU, THIERRY, GOURGON, CÉCILE, DARNON, MAXIME, DESPLATS, OLIVIER
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 01.10.2014
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

The method involves forming (410) a protective mask i.e. hard mask (230), covering masked areas of a face of a substrate and defining an intermediate space. A plasma etching of relief patterns (110) is performed (420) in a chamber to form inclined flanks from the masked areas on the space by forming a continuous passivation layer (440) on the inclined flanks to produce auto limitation of the etching when the inclined flanks join each other. An additional gas to the plasma is introduced into the chamber, where the gas has molecules of a chemical species participating in formation of the layer. Procédé de réalisation de motifs comprenant des flancs inclinés à partir d'une face d'un substrat, comprenant : une formation d'un masque (230) de protection couvrant au moins deux zones (220) masquées de la face du substrat et définissant au moins un espace intermédiaire ; une gravure avec un plasma formant, sur au moins un espace intermédiaire, au moins un flanc incliné à partir de chaque zone masquée (220), caractérisé en ce que la gravure comprenant la formation d'une couche de passivation (440) continue sur les flancs inclinés produisant une autolimitation de la gravure quand des flancs inclinés se rejoignent, et dans lequel la gravure est réalisée dans une chambre et comprend une introduction dans la chambre d'un gaz additionnel au plasma, ledit gaz additionnel comprenant des molécules d'une espèce chimique participant à la formation de la couche de passivation, la quantité de gaz dans la chambre étant contrôlée de sorte à ce que la chambre contienne tout au long de la gravure une quantité de molécules de l'espèce suffisante pour former la couche de passivation de manière continue.