Process for producting an epitaxial layer on a semiconductor wafer

• Main Authors: SIEBERT, WOLFGANG, SCHAUER, REINHARD, MESSMANN, KLAUS, SCHMOLKE, RUEDIGER, OBERMEIER, GUENTHER, GRAEF, DIETER, STORCK, PETER
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 05.12.2001
• Edition: 7
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit einer Vorderseite und einer Rückseite und einer auf der Vorderseite abgeschiedenen epitaktischen Schicht aus halbleitendem Material, das folgende Prozeßschritte umfaßt: (a) Bereitstellen einer Substratscheibe mit einer polierten Vorderseite und einer bestimmten Dicke; (b) Vorbehandeln der Vorderseite der Substratscheibe in Gegenwart von gasförmigem HCl und einer Silanquelle bei einer Temperatur von 950 bis 1250 Grad Celsius in einem Epitaxiereaktor, wobei die Dicke der Substratscheibe im wesentlichen unverändert bleibt; und (c) Abscheiden der epitaktischen Schicht auf der Vorderseite der vorbehandelten Substratscheibe. Production of a semiconductor wafer having front and rear sides and an epitaxial layer made from semiconductor material deposited on the front side comprises: (a) preparing a wafer having a polished front side and a predetermined thickness; (b) pretreating the front side of the wafer in the presence of gaseous HCl and a silane source at 950-1,250 degrees C in a epitaxy reactor so that the thickness of the wafer remains unchanged; and (c) depositing the epitaxial layer on the front side of the pretreated wafer. Preferred Features: The polished front side is produced in a single polishing step. The silane source is selected from silane, dichlorosilane, trichlorosilane or tetrachlorosilane.