Method of forming a capacitor within an integrated circuit

• Main Authors: GRIS, YVON, OBERLIN, JEAN-CLAUDE, MOURIER, JOCELYNE, BANVILLET, HENRI, TROILLARD, GERMAINE, LUNARDI, GENEVIEVE, GUELEN, JOS, MADDALON, CATHERINE
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 26.01.2000
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Process involves depositing and etching metal layer for region (12) corresponding to a capacitance plate and area (13) contacting a higher layer; depositing insulating layer; forming hole above the plate, depositing thin insulating layer; forming 2nd hole above contact zone; depositing 2nd metal layer; etching 2nd metal layer except in hole-filling regions; and depositing 3rd metal layer (31, 32). The 1st and 2nd metal layers are tungsten, and the 3rd metal layer is Al-Cu. The 1st hole has inclined walls, while the 2nd hole has straight walls. L'invention concerne un procédé de fabrication d'un condensateur comprenant les étapes consistant à déposer un premier niveau de métal et le graver pour laisser en place une région (12) correspondant à une première plaque d'un condensateur et une zone (13) de contact avec un niveau supérieur ; déposer une couche isolante (15) ; former une première ouverture au-dessus de la première plaque de condensateur (12) ; déposer une couche isolante mince (17) ; former une deuxième ouverture (20) au-dessus de la zone de contact ; déposer un deuxième niveau de métal (24) ; éliminer par gravure physico-chimique la deuxième couche de métal en dehors des régions où elle remplit les ouvertures ; déposer un troisième niveau de métal et en laisser en place des portions (31, 32).