Monolithically integrated multiple operating mode circuit

• Main Author: GERNER, WOLFGANG
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 29.12.1997
• Edition: 6
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Monolithisch integrierte Halbleiterschaltung, mit einer Substratschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps und einer in der Substratschicht gebildeten Wannenzone (W), die einen zu dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzten zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist und in der den ersten Leitfähigkeitstyp aufweisende Drain- und Sourcezonen (D, S) eines MOS-Transistors und eine den zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisende Wannenkontaktierungszone (WK) gebildet sind, und mit einer Spannungsquellenanordnung, die derart beschaffen ist, daß mit ihr an die Source- oder Drainzone (D, S,) wählbar eines von mehreren unterschiedlichen Potentialen (VDD, VLCD) anlegbar ist, die ein gleiches vorbestimmtes Vorzeichen, das im Fall eines P-Kanal-MOS-Transistors positiv und im Fall eines N-Kanal-MOS-Transistors negativ ist, aber unterschiedliche, möglicherweise relativ zueinander veränderbare Beträge aufweisen, und an die Wannenkontaktierungszone (WK) ein Wannenpotential (VW) anlegbar ist, welches das vorbestimmte Vorzeichen aufweist und dessen Betrag mindestens so groß ist wie der maximale Betrag, den die an die Drain- oder Sourcezone (D, S) anlegbaren Potentiale (VDD, VLCD) annehmen können. The multi-mode circuit has a semiconductor substrate layer of given conductivity type in which a well region (W) of opposite type is formed, with MOSFET source and drain zones (S,D) provided in the semiconductor layer and a contact zone (WK) provided for the well region. A potential source provides different potentials (VDD,VLCD) of similar polarity for the source or drain zone, dependent on the required operating mode, the well region contact zone supplied with a well region potential (VW) with an amplitude corresponding to the maximum amplitude of the source or drain potential.