LIQUID METAL ION SOURCE AND ALLOY FOR ION EMISSION OF MULTIPLE IONIC SPECIES

• Main Authors: UTLAUT, MARK, W, WYSOCKI, JOSEPH, A, SWANSON, LYNWOOD, W, CLARK, WILLIAM, M., JR, SZKLARZ, EUGENE, G, BEHRENS, ROBERT, G, BELL, ANTHONY, E, STORMS, EDMUND, K
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 06.04.1988
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRICITY

Source d'ions (10) et alliage sous forme de métal liquide pour l'évaporation ionique simultanée d'arsénique et d'or, d'arsénique et de phosphore, ou d'arsénique, de bore et de phosphore. Les espèces ioniques à vaporiser sont contenues dans des alliages palladium-arsénique-bore et palladium-arsénique-bore-phosphore. La source d'ions (10), avec un moyen d'émission comme par exemple un émetteur à aiguille (12) et un moyen de source comme par exemple un élément chauffant en forme de U (14), est realisée de préférence de rhénium et de tungstène, les deux se prêtant facilement à la fabrication. Les sources d'ion (10) émettent des faiasceaux continus d'ions présentant des flux de l'espèce de matériau souhaité suffisamment élevés pour permettre leur utilisation dans l'implantation ionique de plaquettes semiconductrices pour la préparation de dispositifs pour circuits intégrés. Les sources sont d'un fonctionnement stable, sont peu affectées par la corrosion pendant leur utilisation et possèdent une grande longevité opérationnelle. A liquid metal ion source and alloy for the simultaneous ion evaporation of arsenic and boron, arsenic and phosphorus, or arsenic, boron and phosphorus. The ionic species to be evaporated are contained in palladium-arsenic-boron and palladium-arsenic-boron-phosphorus alloys. The ion source, including an emitter means such as a needle emitter and a source means such as U-shaped heater element, is preferably constructed of rhenium and tungsten, both of which are readily fabricated. The ion sources emit continuous beams of ions having sufficiently high currents of the desired species to be useful in ion implantation of semiconductor wafers for preparing integrated circuit devices. The sources are stable in operation, experience little corrosion during operation, and have long operating lifetimes.