Process for making macrocrystalline silicon articles for solar cells

• Main Authors: LERCHENBERGER, AUGUST., GRABMAIER, CHRISTA NAT, KOTSCHY, JOSEF NAT
• Format: Patent
• Language: English; French; German
• Published: 16.04.1986
• Edition: 4
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SEMICONDUCTOR DEVICES; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

Um das Abheben der rekristallisierten Siliziumplatten von dem für das Aufschmelzen und Rekristallisieren vorgesehenen Trägerkörper (1) aus von schmelzflüssigem Silizium nicht benetzbaren Material zu gewährleisten, wird vor dem Aufbringen des Siliziums (3) in fester Form als Pulver oder als Rohfolie der Trägerkörper (1) mit einem Trennmittel (2) versehen. Als Trennmittel (2) wird feiner Quarzsand, sehr feinkörniges Siliziumpulver oder Quarzglasfasergewebe verwendet. Das Verfahren wird verwendet für die billige Herstellung von selbsttragenden Siliziumkristallplatten (3) für Solarzellen und erlaubt Flächenziehgeschwindigkeiten von größer 1 m²/min. Recrystallized silicon plates are readily removed from a carrier member after melting and recrystallization, the carrier member being composed of a material that is not appreciably wettable by molten silicon, through the use of a parting agent between the silicon and the carrier in solid form as a powder or a raw foil. Fine quartz sand, very fine grained silicon powder, or quartz glass fiber fabric can be employed as the parting agent. The method is employed for the inexpensive manufacture of self-supporting silicon crystal plates for solar cells and allows throughput drawing rates of greater than 1 m2/min.