MEMORY ARRAY HAVING IMPROVED ISOLATION BETWEEN SENSE LINES

Un reseau de memoire ayant une isolation amelioree entre les lignes communes de lecture de bits (22, 23, 26, 27) utilise des transistors connectes par des diodes (40-43). Les transistors a diodes de connexion (40-43) eliminent sensiblement tout courant passant entre les lignes communes de detection...

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Main Author DONOGHUE, WILLIAM J
Format Patent
LanguageEnglish
French
German
Published 02.06.1982
Subjects
INFORMATION STORAGE
PHYSICS
STATIC STORES
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Summary:Un reseau de memoire ayant une isolation amelioree entre les lignes communes de lecture de bits (22, 23, 26, 27) utilise des transistors connectes par des diodes (40-43). Les transistors a diodes de connexion (40-43) eliminent sensiblement tout courant passant entre les lignes communes de detection de bits (22, 23, 26, 27) lorsqu'une certaine partie du reseau de circuit d'une colonne n'a pas ete selectionnee. Etant donne que les transistors de blocage (40-43) empechent le courant de passer, cela elimine les bruits d'accouplement sur l'une des lignes de commande (28). Ceci permet d'obtenir un reseau de memoire qui peut fonctionner a des vitesses superieures etant donne que de meilleurs signaux differentiels peuvent etre etablis, lesquels sont detectes par l'amplificateur de detection.
Bibliography:Application Number: EP19810901278