Checking surface processing of semiconductor wafer, using diffused light testing and comparing angle-dependent signals

• Main Authors: WAGNER, PETER, PASSEK, FRIEDRICH
• Format: Patent
• Language: English; German
• Published: 10.05.2001
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIRCHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES; MEASURING; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TESTING

The method involves checking the surface processing of a planar workpiece after the processing, by scattered light measurement at individual defects, at least two detection angles. The angle-dependent signals are compared with each other. The defects may be crystal originated particles (COPs). Verfahren zur Kontrolle einer mechanischen oder chemomechanischen Oberflächenbearbeitung eines ebenen Werkstücks, insbesondere einer Halbleiterscheibe mittels einer Streulichtuntersuchung nach der Oberflächenbearbeitung, das dadurch gekennzeichnet ist, daß die Streulichtmessung unter zumindest zwei Detektionswinkeln an einzelnen Defekten erfolgt und die winkelabhängigen Signale miteinander verglichen werden.