Large-area electron beam radiation exposure dose determination for microelectronics layout, involves dividing the total surface area into several disjunctive part-areas with different structural widths

• Main Authors: EICHHORN, HANS-GUENTHER, BAETZ, ULRICH
• Format: Patent
• Language: English; German
• Published: 22.02.2001
• Edition: 7
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

A method ascertaining the radiation dose for a layout during surface/large-area electron beam exposure processing moves on from the short-comings of the so-called CFA (conditional figure assignment) method where the surroundings around the exposed figures are not included in the 'proximity' correction and only the separate free-standing exposure figures of the layout receive a sufficiently accurate correction of the proximity effect. The procedure now requires the total surface layout (S1) having several exposure figures with different structural widths and structure spacings to be divided into several disjunctive part-surfaces or areas Fx (x equals 1...n) which differ with regard to their structural widths and structure spacing and evaluation criteria Kx to be determined for the radiation dose on each of the separate part-surfaces or areas. Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Ermittlung der Bestrahlungsdosis für ein Layout bei der Elektronen-Flächenstrahlbelichtung, vorzugsweise zum Zweck der Korrektur des "Proximity"-Effektes. Das Layout umfaßt dabei mehrere Belichtungsfiguren mit unterschiedlichen Strukturbreiten und Strukturabständen. DOLLAR A Bei einem Verfahren der eingangs beschriebenen Art ist vorgesehen, daß die Layout-Gesamtfläche S 1 in mehrere disjunkte Teilflächen F x (x = 1...n) aufgeteilt wird, die sich hinsichtlich der Strukturbreiten und der Strukturabstände unterscheiden, daß weiterhin Bewertungskriterien K x (x = 1...n) für die auf die einzelnen Teilflächen F x zu richtende Strahlendosis ermittelt werden, jeder Teilfläche F x ein solches Bewertungskriterium K x zugeordnet wird und die Flächenstrahlbelichtung unter Berücksichtigung dieser Bewertungskriterien K x vorgenommen wird.