Wafer clamping ring used for plasma treatment chamber in IC manufacturing has erosion-resistant tips

• Main Authors: HSIAO, JEN-HUI, TING, MU-TSUN, CHEN, TROY, LEE, RAY CHINGREAN
• Format: Patent
• Language: English; German
• Published: 15.06.2000
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS; SEMICONDUCTOR DEVICES

Tips (200) are secured at the ring periphery in a mutual space. Each tip protrudes radially inwards to the ring and has several side faces, tapering towards an individual, continuous rotation surface located at one tip point inside the ring. The point is radially most remote from the ring so that a cross-section comprises several side faces and the rotation surface in a ring plane also contains two segments on lines, intersecting at sharp angles, as well as an arc of a concave ellipse, with the arc starting at line segment and ends at the other one most remote from the ring. Independent claims are included for a plasma treatment device and an integrated circuit. Plasmaerosionsresistenter Klemmring, welcher zum Festklemmen eines Wafers in einer Plasma-Behandlungskammer vorgesehen ist. Der plasmaerosionsresistente Klemmring umfaßt einen Ring und eine oder mehrere Spitzen, welche daran befestigt sind und gegeneinander um einen Umfang des Ringes beabstandet sind. Jede der Spitzen ragt aus dem Ring in einer radialen Richtung zu einem Inneren des Ringes heraus. Jede Spitze weist eine Vielzahl von Seitenoberflächen auf, welche spitz zulaufen zu und auftreffen auf einer einzigen kontinuierlichen Rotationsoberfläche. Die Rotationsoberfläche ist im Inneren des Ringes an einer Stelle der Spitze angeordnet, welche radial am weitesten entfernt von dem Ring ist. Das Zusammentreffen der abgeschrägten Seiten an der einzigen kontinuierlichen Rotationsoberfläche weist einen Querschnitt, welcher in einer Ebene des Ringes aufgenommen ist, wie folgt auf: Der Querschnitt umfaßt erste und zweite Liniensegmente auf Linien, welche sich in einem spitzen Winkel kreuzen, und einen Bogen einer konkaven Ellipse, welcher an dem Ende des ersten Liniensegmentes, am weitesten von dem Ring entfernt, beginnt und an einem Ende des zweiten Liniensegmentes, am weitesten von dem Ring entfernt, endet.