Verfahren zur Strukturierung von transparenten Elektrodenschichten

• Main Author: KARG, FRANK
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 06.04.2000
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; DEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH ISMODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THEDEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY,COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g.SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; FREQUENCY-CHANGING; MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICS; PERFORMING OPERATIONS; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SOLDERING OR UNSOLDERING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; TRANSPORTING; WELDING; WORKING BY LASER BEAM

The invention relates to a method for structuring transparent, conductive layers, especially for structuring transparent electrode layers in thin-layer components. The selected wavelength ( lambda ) of the laser used for structuring should fall substantially within the plasma absorption range of the transparent electrode layer and should fulfill following three requirements: a) the wavelength lambda of the laser must be greater than the cut-off wavelength lambda g for optical absorption in the base absorber; b) the wavelength lambda of the laser must be greater than the cut-off wavelength for free substrate absorption (plasma absorption) lambda g in the transparent electrode layer; and c) the wavelength lambda of the laser must be less than the cut-off wavelength for metallic reflection lambda g on the transparent front electrode. Die vorliegende Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Strukturierung transparenter, leitfähiger Schichten, insbesondere zur Strukturierung transparenter Elektrodenschichten in Dünnschichtbauelementen. Die Wellenlänge (lambda) des zur Strukturierung verwendeten Lasers wird derart ausgewählt, daß sie im wesentlichen in dem Plasmaabsorptionsbereich der transparenten Elektrodenschicht liegt und den folgenden drei Bedingungen genügt: a) Die Wellenlänge lambda des Lasers muß größer als die Grenzwellenlänge lambda¶g¶·opt· für optische Absorption im darunter liegenden Absorber sein; b) die Wellenlänge lambda des Lasers muß größer als die Grenzwellenlänge für freie Trägerabsorption (Plasmaabsorption) lambda¶g¶·pla· in der transparenten Elektrodenschicht sein; und c) die Wellenlänge lambda des Lasers muß kleiner als die Grenzwellenlänge für metallische Reflexion lambda¶g¶·met· an der transparenten Frontelektrode sein.