SILICIUMGREIFER MIT LASERTRENNSCHICHTEN

• Main Authors: Miyazawa, Risa, Horibe, Akihiro, Hisada, Takashi, Knickerbocker, John, Belyansky, Michael, Chen, Qianwen
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 18.07.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; PERFORMING OPERATIONS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SOLDERING OR UNSOLDERING; TRANSPORTING; WELDING; WORKING BY LASER BEAM

Greiferwafer und Verfahren zum Handhaben eines Wafers umfassen Positionieren eines Greifers, der an einem Wafer durch eine Verbindungsschicht befestigt ist, die eine Trennschicht, eine optische Verstärkungsschicht und eine reflexionsmindernde Schicht aufweist. Der Greifer wird von dem Wafer unter Verwendung eines Lasers getrennt, der Laserenergie bei einer Wellenlänge emittiert, die durch die Trennschicht absorbiert und durch die optische Verstärkungsschicht auf die Trennschicht konzentriert wird, sodass das Material der Trennschicht abgetragen wird, wenn diese zum Freigeben des Wafers der Laserenergie ausgesetzt wird. Handler wafers and methods of handling a wafer include positioning a handler, which is attached to a wafer by a bonding layer that comprises a debonding layer, an optical enhancement layer, and an anti-reflection layer. The handler is debonded from the wafer using a laser that emits laser energy at a wavelength that is absorbed by the debonding layer and that is confined to the debonding layer by the optical enhancement layer, such that the material of the debonding layer ablates when exposed to the laser energy to release the wafer.