EINHEIT MIT PHASENÜBERGANG

• Main Authors: Sadana, Devendra K, Li, Ning
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 01.06.2023
• Subjects: ELECTRICITY

Gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung weist eine Einheit mit Phasenübergang (PCD) eine erste und eine zweite Halbleiterschicht auf. Die erste Halbleiterschicht ist aus einem ersten Halbleitermaterial hergestellt und weist eine erste Halbleiterdicke, eine erste Grenzschicht-Oberfläche sowie eine erste Elektrodenoberfläche auf. Die erste Grenzschicht-Oberfläche und die erste Elektrodenoberfläche befinden sich auf gegenüberliegenden Seiten der ersten Halbleiterschicht. Das erste Halbleitermaterial kann unter einer oder mehreren ersten Bedingungen zwischen einem ersten amorphen Zustand und einem ersten kristallinen Zustand wechseln. Die zweite Halbleiterschicht ist aus einem zweiten Halbleitermaterial hergestellt und weist eine zweite Halbleiterdicke, eine zweite Grenzschicht-Oberfläche sowie eine zweite Elektrodenoberfläche auf. Die zweite Grenzschicht-Oberfläche und die zweite Elektrodenoberfläche befinden sich auf gegenüberliegenden Seiten der zweiten Halbleiterschicht. Die erste Grenzschicht-Oberfläche und die zweite Grenzschicht-Oberfläche befinden sich an einer Grenzschicht in elektrischem, physischem und chemischem Kontakt miteinander. Das zweite Halbleitermaterial kann unter einer oder mehreren zweiten Bedingungen zwischen einem zweiten amorphen Zustand und einem zweiten kristallinen Zustand wechseln. Eine erste Elektrode befindet sich in physischem und elektrischem Kontakt mit der ersten Elektrodenoberfläche der ersten Halbleiterschicht, und eine zweite Elektrode befindet sich in physischem und elektrischem Kontakt mit der zweiten Elektrodenoberfläche der zweiten Halbleiterschicht. Die ersten Bedingungen und die zweiten Bedingungen unterscheiden sich. Daher können sich das erste Halbleitermaterial und das zweite Halbleitermaterial bei einigen Ausführungsformen in verschiedenen amorphen und/oder kristallinen Zuständen befinden. Die Schichten können aufgeteilte amorphe/kristalline Zustände aufweisen. Durch Steuern, wie die Schichten aufgeteilt werden, kann sich die PCD in verschiedenen resistiven Zuständen befinden. According to some embodiments of the present invention a phase change device (PCD) has a first and second semiconductor layer. The first semiconductor layer made of a first semiconductor material and has a first semiconductor thickness, a first interface surface, and a first electrode surface. The first interface surface and first electrode surface are on opposite sides of the first semiconductor layer. The first semiconductor material can transition between a first amorphous state and a first crystalline state at one or more first conditions. The second semiconductor layer is made of a second semiconductor material and has a second semiconductor thickness, a second interface surface, and a second electrode surface. The second interface surface and second electrode surface are on opposite sides of the second semiconductor layer. The first interface surface and the second interface surface are in electrical, physical, and chemical contact with one another at an interface. The second semiconductor material can transition between a second amorphous state and a second crystalline state at one or more second conditions. A first electrode in physical and electrical contact with the first electrode surface of the first semiconductor layer and a second electrode in physical and electrical contact with the second electrode surface of the second semiconductor layer. The first conditions and second conditions are different. Therefore, in some embodiments, the first and second semiconductor materials can be in different amorphous and/or crystalline states. The layers can have split amorphous/crystalline states. By controlling how the layers are split, the PCD can be in different resistive states.