Halbleiterbauelement und elektronisches Gerät

• Main Authors: Seike, Takeshi, Furutani, Hiroshi, Takagiwa, Shuhei
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 16.03.2023
• Subjects: AMPLIFIERS; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Ein Halbleiterbauelement beinhaltet zum Beispiel einen oder mehrere erste Sub-Kontakte, die elektrisch mit einem Substrat verbunden sind. Wenigstens einer der ein oder mehreren ersten Sub-Kontakte ist in einem Bereich der Elementanordnung ausgebildet und hat eine niedrigere Impedanz als das Substrat. Vorzugsweise ist wenigstens einer der ein oder mehreren ersten Sub-Kontakte benachbart zu einem Schaltungselement, das im Bereich der Elementanordnung ausgebildet ist. Vorzugsweise ist auf dem Substrat, das von einem ersten Leitfähigkeitstyp ist, eine Epilayer-Schicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps gebildet, und der eine oder die mehreren ersten Sub-Kontakte umfassen eine erste Leitung mit einer niedrigeren Impedanz als das Substrat und einen Halbleiterbereich des ersten Leitfähigkeitstyps, der die Epilayer-Schicht durchdringt, um die erste Leitung und das Substrat elektrisch miteinander zu verbinden. For example, a semiconductor device includes one or more first subcontacts electrically conducted to a substrate. At least one of the one or more first subcontacts is formed in an element arrangement region, and has a lower impedance than the substrate. Preferably, at least one of the one or more first subcontacts is adjacent to a circuit element formed in the element arrangement region. Preferably, on the substrate, which is of a first conductivity type, an epilayer of a second conductivity type is formed, and the one or more first subcontacts include a first line having a lower impedance than the substrate, and a semiconductor region of the first conductivity type penetrating through the epilayer to electrically conduct the first line and the substrate to each other.