Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

• Main Authors: Nakatani, Mitsunori, Minami, Masafumi, Ueno, Takahiro
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 13.01.2022
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Ein unteres Resist (2) wird auf einem Halbleitersubstrat (1) aufgebracht. Auf dem unteren Resist (2) wird ein oberes Resist (3) aufgebracht. Im oberen Resist (3) wird eine erste Öffnung (4) durch Belichtung und Entwicklung ausgebildet, und das untere Resist (2) wird mit einem Entwickler bei der Entwicklung aufgelöst, um eine zweite Öffnung (5) mit einer größeren Breite als jene der ersten Öffnung (4) unter der ersten Öffnung (4) auszubilden, sodass eine Resiststruktur (6) in Form einer Traufe mit einer Hinterschneidung ausgebildet wird. Ein Backvorgang wird durchgeführt, um das obere Resist (3) thermisch zu schrumpfen, um einen Traufteil (7) des oberen Resists (3) nach oben zu biegen. Nach dem Backvorgang wird ein Metallfilm (8) auf der Resiststruktur (6) und auf dem bei der zweiten Öffnung (5) freigelegten Halbleitersubstrat (1) aufgebracht. Die Resiststruktur (6) und der Metallfilm (8) werden auf der Resiststruktur (6) entfernt, und der Metallfilm (8) bleibt auf dem Halbleitersubstrat (1) als Elektrode (9) zurück. A lower resist (2) is applied on a semiconductor substrate (1). An upper resist (3) is applied on the lower resist (2). A first opening (4) is formed in the upper resist (3) by exposure and development and the lower resist (2) is dissolved with a developer upon the development to form a second opening (5) having a width wider than that of the first opening (4) below the first opening (4) so that a resist pattern (6) in a shape of an eave having an undercut is formed. Baking is performed to thermally shrink the upper resist (3) to bent an eave portion (7) of the upper resist (3) upward. After the baking, a metal film (8) is formed on the resist pattern (6) and on the semiconductor substrate (1) exposed at the second opening (5). The resist pattern (6) and the metal film (8) is removed on the resist pattern (6) and the metal film (8) is left on the semiconductor substrate (1) as an electrode (9).