OXID-HALBLEITEREINHEIT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DERSELBEN

• Main Authors: Miyajima, Shinsuke, Takiguchi, Yuki, Watahiki, Tatsuro, Yuda, Yohei
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 10.06.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Die Aufgabe besteht darin, eine Technologie anzugeben, um eine Verschlechterung von Eigenschaften einer Oxid-Halbleitereinheit verhindern zu können. Die Oxid-Halbleitereinheit weist Folgendes auf: eine epitaxiale Galliumoxid-Schicht vom n-Typ, eine Oxid-Halbleiterschicht vom p-Typ sowie eine Oxidschicht. Die Oxid-Halbleiterschicht vom p-Typ ist über der epitaxialen Galliumoxid-Schicht vom n-Typ angeordnet, enthält ein Element, das sich von Gallium unterscheidet, als eine Hauptkomponente und weist eine Leitfähigkeit vom p-Typ auf. Die Oxidschicht ist zwischen der epitaxialen Galliumoxid-Schicht vom n-Typ und der Oxid-Halbleiterschicht vom p-Typ angeordnet und ist aus einem Material hergestellt, das sich von Galliumoxid unterscheidet und sich zumindest teilweise von einem Material der Oxid-Halbleiterschicht vom p-Typ unterscheidet. An object is to provide a technology for enabling prevention of deterioration of characteristics of an oxide semiconductor device. The oxide semiconductor device includes an n-type gallium oxide epitaxial layer, a p-type oxide semiconductor layer, and an oxide layer. The p-type oxide semiconductor layer is disposed above the n-type gallium oxide epitaxial layer, contains an element different from gallium as a main component, and has p-type conductivity. The oxide layer is disposed between the n-type gallium oxide epitaxial layer and the p-type oxide semiconductor layer, and is made of a material different from gallium oxide and different at least partly from a material of the p-type oxide semiconductor layer.