Verfahren zur Zufuhr von Ausgangsmaterial und Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Einkristalls

• Main Authors: Kanehara, Takahiro, Yokoyama, Ryusuke, Kawakami, Rui
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 02.02.2023
• Subjects: AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR; CHEMISTRY; CRYSTAL GROWTH; METALLURGY; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL

Stoffzufuhrverfahren zum Wiederauffüllen eines Siliciumfeststoffs in eine Siliciumschmelze in einem Tiegel, wenn ein Silicium-Einkristall mit dem Czochralski-Prozess hochgezogen wird, während ein horizontales elektromagnetisches Querfeld an die Siliciumschmelze angelegt ist, wobei das Verfahren folgendes umfasst:Verfestigen der gesamten Oberfläche der Siliciumschmelze;Fallenlassen des Feststoffs auf einen verfestigten Teil, der während der Verfestigung der gesamten Oberfläche der Siliciumschmelze gebildet wurde; undSchmelzen des verfestigten Teils und des Feststoffs, wobeibeim Fallenlassen des Feststoffs der Feststoff fallengelassen wird, während die Intensität des elektromagnetischen Querfelds, das an die Siliciumschmelze angelegt ist, auf einen Bereich von mehr als 0 Tesla und 0,05 Tesla oder weniger eingestellt ist, undbeim Schmelzen des verfestigten Teils und des Feststoffs, nachdem das Fallenlassen des Feststoffs beendet wurde, der verfestigte Teil und der Feststoff geschmolzen werden, während ein elektromagnetisches Querfeld von mehr als 0,05 Tesla an die Siliziumschmelze angelegt wird. This method for supplying a raw material comprises a solidification step for solidifying the surface of a silicon melt, a dropping step for dropping a solid raw material to a solidified portion formed in the solidification step, and a melting step for melting the solidified portion and the solid raw material. In the dropping step, the solid raw material is dropped with a transverse magnetic field of more than 0 tesla and not more than 0.05 tesla being applied to the silicon melt.