Optoelektronisches Halbleiterbauteil

• Main Author: Wiesmann, Christopher
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 14.12.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit- einer Halbleiterschichtenfolge (2) zur Erzeugung von Strahlung, die eine Emissionsseite (20) und eine dieser gegenüberliegende Rückseite (23) aufweist,- einem Spiegel (3) für die erzeugte Strahlung an der Rückseite (23),- einem für die erzeugte Strahlung durchlässigen Träger (4) an der Emissionsseite (20), und- einem für die Strahlung undurchlässigen Reflektorgehäuse (5) direkt an Seitenflächen (45) des Trägers (4) zur diffusen Reflexion der erzeugten Strahlung mit einer der Emissionsseite (20) gegenüberliegenden Strahlungsaustrittsöffnung (50),wobei eine Breite einer Öffnung im Reflektorgehäuse (5) und/oder eine Fläche der Strahlungsaustrittsöffnung (50) in Richtung weg von der Emissionsseite (20) abnimmt, undwobei eine maximale Abstrahlung der erzeugten Strahlung in einem Abstrahlwinkelbereich zwischen einschließlich 30° und 60° erfolgt, bezogen auf ein Lot zur Emissionsseite (20). An optoelectronic semiconductor component includes a semiconductor layer sequence that generates radiation, the semiconductor layer sequence has an emission side and a rear side opposite said emission side, a mirror for the generated radiation on the rear side, a carrier that is transmissive to the radiation generated, on the emission side, and a reflector housing on side surfaces of the carrier, the reflector housing is impermeable to the generated radiation and configured for diffuse reflection of generated radiation and includes a radiation exit opening, wherein at least one of a width of an opening in the reflector housing and an area of the radiation exit opening decrease(s) in a direction away from the emission side, and a maximum emission of the generated radiation takes place in an emission angle range of 30° to 60°, relative to a perpendicular to the emission side.