KRISTALLINER MEHRSCHICHT-DÜNNFILM-TRANSISTOR MIT RÜCKSEITIGEM GATE HINTERGRUND

• Main Authors: Tan, Li Huey, Ghani, Tahir, Sharma, Abhishek Anil, Tronic, Tristan, Gardner, Sanaz, Le, Van, Dewey, Gilbert, Millard, Kent, Lin, Kevin, Kavalieros, Jack T, Shivaraman, Shriram, Weber, Justin
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 04.06.2020
• Subjects: ELECTRICITY

Beschrieben wird eine Vorrichtung, die folgendes umfasst: ein Gate, das ein Metall umfasst; eine erste Schicht benachbart zu dem Gate, wobei die erste Schicht ein dielektrisches Material aufweist; eine zweite Schicht benachbart zu der ersten Schicht, wobei die zweite Schicht ein zweites Material aufweist; eine dritte Schicht benachbart zu der zweiten Schicht, wobei die dritte Schicht ein drittes Material aufweist, das ein amorphes Metalloxid umfasst; eine vierte Schicht benachbart zu der dritten Schicht, wobei die vierte Schicht ein viertes Material aufweist, wobei das zweite und vierte Material sich von dem dritten Material unterscheiden; eine Source, teilweise benachbart zu der vierten Schicht; und einen Drain, teilweise benachbart zu der vierten Schicht. An integrated circuit includes: a gate dielectric; a first layer adjacent to the gate dielectric; a second layer adjacent to the first layer, the second layer comprising an amorphous material; a third layer adjacent to the second layer, the third layer comprising a crystalline material; and a source or drain at least partially adjacent to the third layer. In some cases, the crystalline material of the third layer is a first crystalline material, and the first layer comprises a second crystalline material, which may be the same as or different from the first crystalline material. In some cases, the gate dielectric includes a high-K dielectric material. In some cases, the gate dielectric, the first layer, the second layer, the third layer, and the source or drain are part of a back-gate transistor structure (e.g., back-gate TFT), which may be part of a memory structure (e.g., located within an interconnect structure).