RF-Schalter für kapazitive Oszillatorabstimmung

• Main Authors: Leistner, Andreas, Gustedt, Thomas, Broussev, Svetozar, Roithmeier, Andreas
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 23.05.2019
• Subjects: BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRICITY; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS; GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING,BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN ANON-SWITCHING MANNER; PULSE TECHNIQUE; TRANSMISSION

Verschiedene Entwürfe für MOS-Transistor-basierte Schaltertopologien für eine hochgeschwindigkeits-kapazitive Abstimmung von Oszillatorschaltkreisen umfassen ein Hauptschalterbauelement, umfassend ein Gate, das mit einem Steueranschluss verbunden ist, einen Drain, der mit einem ersten Anschluss verbunden ist, der mit dem ersten Kondensator verbunden ist, und eine Source, die mit einem zweiten Anschluss verbunden ist, der mit dem zweiten Kondensator verbunden ist. Der Schalter umfasst ferner ein erstes NMOS-Bauelement mit einem Gate, das mit dem Hauptschalterbauelement-Gate verbunden ist, einer Source, die mit einer Masse verbunden ist, und einem Drain, der mit dem ersten Anschluss verbunden ist. Der Schalter umfasst ferner ein zweites NMOS-Bauelement mit einem Gate, das mit dem Hauptschalterbauelement-Gate verbunden ist, einer Source, die mit einer Masse verbunden ist, und einem Drain, der mit dem zweiten Anschluss verbunden ist. Der Schalter umfasst ferner ein Paar von PMOS-Bauelementen, die jeweils Drains aufweisen, die mit dem ersten und/oder zweiten Anschluss verbunden sind. Various designs for MOS transistor-based RF switch topologies for high speed capacitive tuning of oscillators switch circuits include a main switch device comprising a gate connected to a control terminal, a drain connected to a first terminal that is connected to the first capacitor, and a source connected to a second terminal that is connected to the second capacitor. The switch further comprises a first NMOS device having a gate connected to the main switch device gate, a source connected to a ground, and a drain connected to the first terminal. The switch further comprises a second NMOS device having a gate connected to the main switch device gate, a source connected to a ground, and a drain connected to the second terminal. The switch further comprises a pair of PMOS devices each having drains connected respectively to the first and second terminals.