Leistungshalbleitermodul

• Main Authors: Shimura, Takahiro, Tokuyama, Takeshi, Kawano, Shun, Matsushita, Akira, Takagi, Yusuke
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 02.05.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Leistungshalbleitermodul (300), das Folgendes umfasst:eine erste Halbleitervorrichtung (328, 330);eine zweite Halbleitervorrichtung (329, 331), die mit der ersten Halbleitervorrichtung (328, 330) elektrisch parallelgeschaltet ist; undeinen Steuerleitungsrahmen (325), der über einen ersten Bonddraht (324a) mit einer Steuerelektrode (332) der ersten Halbleitervorrichtung (328, 330) verbunden ist und über einen zweiten Bonddraht (324b) mit einer Steuerelektrode (333) der zweiten Halbleitervorrichtung (329, 331) verbunden ist, wobeider Steuerleitungsrahmen (325) einen ersten Leitungsrahmenabschnitt (326), einen gebogenen Abschnitt (371) und einen zweiten Leitungsrahmenabschnitt (327), der über den gebogenen Abschnitt (371) mit dem ersten Leitungsrahmenabschnitt (326) verbunden ist, enthält,ein Ende des ersten Bonddrahtes (324a) mit der Steuerelektrode (332) der ersten Halbleitervorrichtung (328, 330) verbunden ist, das andere Ende des ersten Bonddrahtes (324a) mit dem ersten Leitungsrahmenabschnitt (326) oder dem gebogenen Abschnitt (371) verbunden ist,ein Ende des zweiten Bonddrahtes (324b) mit der Steuerelektrode (333) der zweiten Halbleitervorrichtung (329, 331) verbunden ist, das andere Ende des zweiten Bonddrahtes (324b) mit dem zweiten Leitungsrahmenabschnitt (327) verbunden ist,der erste Leitungsrahmenabschnitt (326) sich in einer Richtung, die mit der ersten Halbleitervorrichtung (328, 330) überlappt, vom gebogenen Abschnitt (371) in Richtung einer Seite erstreckt, die der Seite der ersten Halbleitervorrichtung (328, 330) gegenüberliegt, und der zweite Leitungsrahmenabschnitt (327) sich in einer Richtung, die mit der zweiten Halbleitervorrichtung (329, 331) überlappt, vom gebogenen Abschnitt (371) in Richtung der Seite der zweiten Halbleitervorrichtung (329, 331) erstreckt, wobeider erste Leitungsrahmenabschnitt (326) sich in einer Richtung erstreckt, die mit der Steuerelektrode (332) der ersten Halbleitervorrichtung (328, 330) überlappt, undder zweite Leitungsrahmenabschnitt (327) sich in einer Richtung erstreckt, die mit der Steuerelektrode (333) der zweiten Halbleitervorrichtung (329, 331) überlappt, wobei das Leistungshalbleitermodul (300) mehrere der Steuerleitungsrahmen (325) umfasst, wobeidie erste Halbleitervorrichtung (328, 330) und die zweite Halbleitervorrichtung (329, 331) jeweils mehrere der Steuerelektroden aufweisen, die mit den Steuerleitungsrahmen (325) verbunden sind, unddie Längen von mehreren ersten Bonddrähten, die den ersten Leitungsrahmenabschnitt (326) oder den gebogenen Abschnitt (371) jedes der Steuerleitungsrahmen (325) mit der Steuerelektrode (332) der ersten Halbleitervorrichtung (328, 330) verbinden, und die Länge von mehreren zweiten Bonddrähten, die den zweiten Leitungsrahmenabschnitt (327) jedes der Steuerleitungsrahmen (325) und die Steuerelektrode (333) der zweiten Halbleitervorrichtung (329, 331) verbinden, alle dieselben sind. The present invention is directed to improving the bonding strength between a bonding wire and a lead frame bonded to a plurality of semiconductor devices electrically connected in parallel. One end and the other end of a first bonding wire are connected to a control electrode and a first lead frame portion or a bent portion of a first semiconductor device, and one end and the other end of a second bonding wire are connected to a control electrode and a second lead frame portion of a second semiconductor device. The first lead frame portion extends in a direction overlapping with the first semiconductor device from the bent portion toward the side opposite to the first semiconductor device side, and the second lead frame portion extends from the bent portion toward the second semiconductor device side in a direction overlapping with the second semiconductor device.