Fertigung von nicht-planaren IGZO-Vorrichtungen für eine verbesserte Elektrostatik

• Main Authors: Le, Van H, Millard, Kent, E, Rios, Rafael, Radosavljevic, Marko, Agrawal, Ashish, Arch, Ryan, E, Dewey, Gilbert, Chu-Kung, Benjamin, Kavalieros, Jack T, French, Marc C
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 13.09.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Ausführungsformen der Erfindung weisen nicht-planare InGaZnO (IGZO)-Transistoren und Verfahren zum Ausbilden solcher Vorrichtungen auf. In einer Ausführungsform kann der IGZO-Transistor ein Substrat und ein Source- und ein Draingebiet, die über dem Substrat ausgebildet sind, aufweisen. Gemäß einer A...