Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtung

• Main Authors: Oki, Shuhei, Rahman, Md. Tasbir, Ikeda, Tomoharu, Onishi, Toru
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 12.01.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Die hierin offenbarte Technik kann Leistungsabweichungen zwischen herzustellenden Halbleitervorrichtungen bei der Herstellung jeder Halbleitervorrichtung unterdrücken, durch die Ausbildung einer Diffusionsschicht durch Ionenimplantation in das Halbleitersubstrat nach dem Ätzen. Eine Halbleitervorrichtung 2 umfasst ein Halbleitersubstrat 10. Das Halbleitersubstrat 10 umfasst ein Emittergebiet 12, ein oberes Körpergebiet 14, ein Barrierengebiet 16, ein unteres Körpergebiet 18, ein Driftgebiet 20, ein Kollektorgebiet 22, einen Graben 30, eine Gateisolationsschicht 32 und eine Gateelektrode 34. Eine vordere Oberfläche der Gateelektrode 34 ist an einer tieferen Position als eine vordere Oberfläche des Halbleitersubstrats 10 bereitgestellt. Innerhalb der Gateelektrode 34 ist eine vordere Oberfläche eines ersten Abschnitts 34a an einem breitenweisen Zentrum des Grabens 30 an einer flacheren Position als eine vordere Oberfläche eines zweiten Abschnitts 34b, der mit der Gateisolationsschicht 32 in Kontakt steht, bereitgestellt. Technique disclosed herein can suppress performance variation among semiconductor devices to be manufactured upon manufacturing each semiconductor device by forming diffusion layer by ion implantation to semiconductor substrate after etching. A semiconductor device includes a semiconductor substrate. The semiconductor substrate includes an emitter region, a top body region, a barrier region, a bottom body region, a drift region, a collector region, a trench, a gate insulating film, and a gate electrode. A front surface of the gate electrode is provided at a deeper position than a front surface of the semiconductor substrate. Within the gate electrode, a front surface of a first portion at a widthwise center of a trench is provided at a shallower position than a front surface of a second portion in contact with the gate insulating film.