Verfahren zum selektiven Transferieren von Halbleitervorrichtungen

• Main Authors: Hsieh, Min-Hsun, Ku, Hao-Min, Hsu, Tzu-Chieh, Huang, Chien-Fu, Chien, Chung-Hsun, Chen, Yi-Ming, Lin, Ching Pei, Lu, Chih-Chiang, Lin, Chun-Yu
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 01.07.2021
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Verfahren zum selektiven Transferieren von Halbleitervorrichtungen, das die folgenden Schritte umfasst:Schritt a: Bereitstellen eines Substrats (101) mit einer ersten Oberfläche (1011) und einer zweiten Oberfläche (1012);Schritt b: Kleben mehrerer epitaktischer Halbleiterstapel auf die erste Oberfläche (1011) durch eine Haftstruktur (2), wobei die mehreren epitaktischen Halbleiterstapel einen ersten epitaktischen Halbleiterstapel (31) und einen zweiten epitaktischen Halbleiterstapel (32) umfassen und der erste epitaktische Halbleiterstapel (31) von dem zweiten epitaktischen Halbleiterstapel (32) getrennt ist und wobei eine Haftung zwischen dem ersten epitaktischen Halbleiterstapel (31) und dem Substrat (101) von einer Haftung zwischen dem zweiten epitaktischen Halbleiterstapel (32) und dem Substrat (101) verschieden ist; undSchritt c: Separieren des ersten epitaktischen Halbleiterstapels (31) von dem Substrat (101) durch vollständiges Entfernen eines Teils (201) der Haftstruktur (2) oder durch Liefern von Energie an den Teil (201) der Haftstruktur (2) zum Verringern einer Haftung der Haftstruktur (2) und danach Anwenden einer Kraft entgegengesetzt zu einer Haftkraft zwischen dem ersten epitaktischen Halbleiterstapel (31) und dem Substrat (101), wobei der Teil (201) der Haftstruktur (2) zwischen dem ersten epitaktischen Halbleiterstapel (31) und dem Substrat (101) angeordnet ist, wobei ein anderer Teil (202) der Haftstruktur (2), der zwischen dem zweiten epitaktischen Halbleiterstapel (32) und dem Substrat (101) angeordnet ist, verbleibt. A semiconductor structure comprises a substrate, an adhesion layer, arranged on the substrate, a first release layer, arranged on the adhesion layer and a first semiconductor device, comprising a semiconductor epitaxial stack, and a conducting layer directly connected to the first release layer, wherein the first semiconductor device is not electrically connected to the substrate by the adhesion layer and the first release layer.