Kontaktfleckstruktur für eine Silicium-Durchkontaktierung

• Main Authors: LEE, KEVIN J, LEATHERMAN, GERALD S, BRAIN, RUTH A, PELTO, CHRISTOPHER M
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 27.08.2015
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beschreiben Techniken und Konfigurationen in Zusammenhang mit der Bildung einer Kontaktfleckstruktur für eine Silicium-Durchkontaktierung (TSV) unter Verwendung von Zwischenverbindungsstrukturen von Verbindungsschichten. Gemäß einer Ausführungsform umfasst eine Vorrichtung ein Halbleitersubstrat mit einer ersten Fläche und einer der ersten Fläche entgegengesetzten zweiten Fläche, eine Vorrichtungsschicht, die auf der ersten Fläche des Halbleitersubstrats angeordnet ist, wobei die Vorrichtungsschicht eine oder mehrere Transistorvorrichtungen aufweist, Verbindungsschichten, die auf der Vorrichtungsschicht angeordnet sind, wobei die Verbindungsschichten mehrere Zwischenverbindungsstrukturen aufweisen, und eine oder mehrere Silicium-Durchkontaktierungen, die zwischen der ersten Fläche und der zweiten Fläche angeordnet sind, wobei die mehreren Zwischenverbindungsstrukturen Zwischenverbindungsstrukturen einschließen, die elektrisch mit der einen oder den mehreren TSV gekoppelt sind und dafür ausgelegt sind, eine oder mehrere entsprechende Kontaktfleckstrukturen der einen oder der mehreren TSV bereitzustellen. Andere Ausführungsformen können beschrieben und/oder beansprucht werden. Embodiments of the present disclosure describe techniques and configurations associated with forming a landing structure for a through-silicon via (TSV) using interconnect structures of interconnect layers. In one embodiment, an apparatus includes a semiconductor substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface, a device layer disposed on the first surface of the semiconductor substrate, the device layer including one or more transistor devices, interconnect layers disposed on the device layer, the interconnect layers including a plurality of interconnect structures and one or more through-silicon vias disposed between the first surface and the second surface, wherein the plurality of interconnect structures include interconnect structures that are electrically coupled with the one or more TSVs and configured to provide one or more corresponding landing structures of the one or more TSVs. Other embodiments may be described and/or claimed.