Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung

• Main Authors: Osada, Yamato, Kamimura, Ryuichiro, Tashiro, Takaharu, Kashima, Yukio, Nishihara, Hiromi, Ookawa, Takafumi
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 09.06.2016
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung mit einer konkav-konvexen Struktur, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: - Bilden eines organischen Resistfilms auf einer Schicht zur Bildung einer konkav-konvexen Struktur, in der eine konkav-konvexe Struktur gebildet werden soll; - Bilden eines siliziumhaltigen Resistfilms auf dem organischen Resistfilm; - Mustern des siliziumhaltigen Resistfilms durch Nanoprägen; - Oxidieren des siliziumhaltigen Resistfilms mit einem sauerstoffhaltigen Plasma, um einen Siliziumoxidfilm zu bilden; - Trockenätzen des organischen Resistfilms unter Verwendung des Siliziumoxidfilms als Ätzmaske, - Trockenätzen der Schicht zur Bildung einer konkav-konvexen Struktur unter Verwendung des Siliziumoxidfilms und des organischen Resistfilms als Ätzmasken; und - Entfernen des Siliziumoxidfilms und des organischen Resistfilms. A method for manufacturing a device having a concavo-convex structure includes forming an organic resist film on an n-type semiconductor layer in which a fine concavo-convex structure is to be formed; forming a silicon-containing resist film on the organic resist film; patterning the silicon-containing resist film by nanoimprint; oxidizing the silicon-containing resist film with oxygen-containing plasma to form a silicon oxide film; dry-etching the organic resist film by using the silicon oxide film as an etching mask; dry-etching the n-type semiconductor layer by using the silicon oxide film and the organic resist film as an etching masks; and removing the silicon oxide film and the organic resist film.