Mehrchiplagenhalbleiterstruktur mit vertikalem Zwischenseitenchip und Halbleiterpaket dafür

• Main Authors: Cheah, Bok Eng, Kong, Jackson Chung Peng, Ooi, Kooi Chi, Periaman, Shanggar
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 28.09.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Mehrchiplagenhalbleiterstruktur, umfassend:eine erste Hauptchiplagenstapel-, MSD, -Struktur (220), die eine erste horizontale Anordnung von Halbleiterchiplagen umfasst;eine zweite MSD-Struktur (221), die eine zweite horizontale Anordnung von Halbleiterchiplagen umfasst; undeinen vertikalen Zwischenseitenchip, i-VSC (201), der dazwischen angeordnet und elektrisch mit den ersten und zweiten MSD-Strukturen (220, 221) gekoppelt ist,wobei der i-VSC (201) mit der ersten MSD-Struktur (220) über eine oder mehr vordere Verbindungen (204) des i-VSC gekoppelt ist und die vorderen Verbindungen (204) auf einer aktiven Seite (202) des i-VSC (201) angeordnet sind. Semiconductor multi-die structures having intermediate vertical side chips, and packages housing such semiconductor multi-die structures, are described. In an example, a multi-die semiconductor structure includes a first main stacked dies (MSD) structure having a first substantially horizontal arrangement of semiconductor dies. A second MSD structure having a second substantially horizontal arrangement of semiconductor dies is also included. An intermediate vertical side chip (i-VSC) is disposed between and electrically coupled to the first and second MSD structures.