Mehrchiplagenhalbleiterstruktur mit vertikalem Zwischenseitenchip und Halbleiterpaket dafür
Mehrchiplagenhalbleiterstruktur, umfassend:eine erste Hauptchiplagenstapel-, MSD, -Struktur (220), die eine erste horizontale Anordnung von Halbleiterchiplagen umfasst;eine zweite MSD-Struktur (221), die eine zweite horizontale Anordnung von Halbleiterchiplagen umfasst; undeinen vertikalen Zwischens...
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Format | Patent |
Language | German |
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28.09.2023
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Summary: | Mehrchiplagenhalbleiterstruktur, umfassend:eine erste Hauptchiplagenstapel-, MSD, -Struktur (220), die eine erste horizontale Anordnung von Halbleiterchiplagen umfasst;eine zweite MSD-Struktur (221), die eine zweite horizontale Anordnung von Halbleiterchiplagen umfasst; undeinen vertikalen Zwischenseitenchip, i-VSC (201), der dazwischen angeordnet und elektrisch mit den ersten und zweiten MSD-Strukturen (220, 221) gekoppelt ist,wobei der i-VSC (201) mit der ersten MSD-Struktur (220) über eine oder mehr vordere Verbindungen (204) des i-VSC gekoppelt ist und die vorderen Verbindungen (204) auf einer aktiven Seite (202) des i-VSC (201) angeordnet sind.
Semiconductor multi-die structures having intermediate vertical side chips, and packages housing such semiconductor multi-die structures, are described. In an example, a multi-die semiconductor structure includes a first main stacked dies (MSD) structure having a first substantially horizontal arrangement of semiconductor dies. A second MSD structure having a second substantially horizontal arrangement of semiconductor dies is also included. An intermediate vertical side chip (i-VSC) is disposed between and electrically coupled to the first and second MSD structures. |
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Bibliography: | Application Number: DE20121106625T |