Kapazitiver Sensor

• Main Authors: KASAI, TAKASHI, INOUE, TADASHI
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 09.10.2014
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEAF-AID SETS; ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKEACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES; MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY; PERFORMING OPERATIONS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TRANSPORTING

Eine Membran 33 ist auf einer Oberseite eines Siliziumsubstrats 32 vorgesehen, und eine Platteneinheit 39 ist an der Oberseite des Siliziumsubstrats 32 eine Beweglichelektroden-Dünnschicht unter Einhaltung eines Zwischenraums abdeckend vorgesehen. Eine Platteneinheit 39 besteht aus einem isolierenden Material. Eine Festelektroden-Dünnschicht 40 ist an einer Unterseite der Platteneinheit 39 ausgebildet und die Membran 33 und die Festelektroden-Dünnschicht 40 bilden einen Kondensator. In einem Bereich um die Platteneinheit 39 herum liegt ein gesamter äußerer Umfangsrand der Oberseite des Siliziumsubstrats 32 aus der Platteneinheit 39 frei. Auf der Oberseite des Substrats 32 ist eine Isolationslage 47 aus einem isolierenden Material in einem Teil eines Bereichs ausgebildet, der aus der Platteneinheit 39 freiliegt, und eine Elektrodenanschlussfläche 48, die mit der Membran 33 elektrisch verbunden ist, und eine Elektrodenanschlussfläche 49, die mit der Festelektroden-Dünnschicht 40 elektrisch verbunden ist, sind auf einer Oberseite der Isolationslage 47 vorgesehen. Diaphragm 33 is provided on a top surface of silicon substrate 32, and plate unit 39 is fixed to the top surface of silicon substrate 32 so as to cover the movable electrode film with a gap. Plate unit 39 is made of an insulating material. Fixed electrode film 40 is formed on a bottom surface of plate unit 39, and diaphragm 33 and fixed electrode film 40 constitute a capacitor. In an area around plate unit 39, a whole outer peripheral edge of the top surface of silicon substrate 32 is exposed from plate unit 39. On the top surface of the substrate 32, insulating sheet 47 made of the insulating material is formed in a part of an area exposed from plate unit 39, and electrode pad 48 electrically connected to diaphragm 33 and electrode pad 49 electrically connected to fixed electrode film 40 are provided on a top surface of insulating sheet 47.