Verfahren zur Hartmaskenentfernung auf einem SOI-Substrat ohne Anwendung eines CMP-Verfahrens

• Main Author: Kwon, Oh-Jung
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 16.07.2020
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Verfahren zum Bilden einer Einheit, aufweisend:Bereitstellen eines Halbleiter-auf-Isolator(SOI)-Substrats (105), welches eine obere SOI-Schicht (130), eine mittlere BOX-Schicht (120) und eine untere Substratschicht (110) aufweist;Abscheiden einer Hartmaskenschicht (150) auf dem SOI-Substrat;Ätzen eines Grabens (160) in dem SOI-Substrat, wobei sich der Graben in die Substratschicht hinein erstreckt;Abscheiden einer Sperrschicht (170) auf einer oberen Fläche der Hartmaskenschicht und auf einem Boden und Seitenwänden des Grabens;Entfernen eines Abschnitts der Sperrschicht über der Hartmaskenschicht und auf dem Boden des Grabens;Entfernen der Hartmaskenschicht;Entfernen des verbleibenden Abschnitts der Sperrschicht auf den Seitenwänden des Grabens;Abscheiden eines ersten leitfähigen Materials (200), um den Graben zu füllen;Planarisieren des ersten leitfähigen Materials; undEntfernen eines Abschnitts des ersten leitfähigen Materials aus dem Graben, wobei sich eine obere Fläche des ersten leitfähigen Materials (200') unter einer unteren Fläche der SOI-Schicht und über einer oberen Fläche der Substratschicht befindet. A hard mask material is removed from an SOI substrate without using a chemical mechanical polish (CMP) process. A blocking material is deposited on a hard mask material after a deep trench reactive ion etch (RIE) process. The blocking material on top of the hard mask material is removed. A selective wet etching process is used to remove the hard mask material. Trench recess depth is effectively controlled.