MEMS auf Rückseite von Bulk-Silizium
Vorrichtung, umfassend:ein einziges Halbleitersubstrat (100);eine Bauelementschicht (102), die auf einer Vorderseite (104) des einzigen Halbleitersubstrats (100) ausgebildet ist;eine Umverdrahtungsschicht (600), die auf einer Rückseite (106) des einzigen Halbleitersubstrats (100) ausgebildet ist;ein...
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Format | Patent |
Language | German |
Published |
16.11.2023
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