MEMS auf Rückseite von Bulk-Silizium

• Main Authors: Baskaran, Rajashree, Pelto, Christopher M
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 16.11.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES; MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY; PERFORMING OPERATIONS; SEMICONDUCTOR DEVICES; TRANSPORTING

Vorrichtung, umfassend:ein einziges Halbleitersubstrat (100);eine Bauelementschicht (102), die auf einer Vorderseite (104) des einzigen Halbleitersubstrats (100) ausgebildet ist;eine Umverdrahtungsschicht (600), die auf einer Rückseite (106) des einzigen Halbleitersubstrats (100) ausgebildet ist;eine Durchkontaktierung (400), im Folgenden kurz TSV genannt, die in dem einzigen Halbleitersubstrat (100) ausgebildet und mit der Bauelementschicht (102) und der Umverdrahtungsschicht (600) elektrisch gekoppelt ist;eine Logik-Speicher-Schnittstelle, im Folgenden kurz LMI genannt, die auf der Rückseite (106) des einzigen Halbleitersubstrats (100) ausgebildet und mit der Umverdrahtungsschicht (600) elektrisch gekoppelt ist;und ein MEMS-Bauelement (900), das auf der Rückseite (106) des einzigen Halbleitersubstrats (100) ausgebildet und mit der Umverdrahtungsschicht elektrisch gekoppelt ist, dadurch gekennzeichnet dass sie ferner eine abdichtende LMI (1704) umfasst, die einen Umfang des MEMS-Bauelements (900) umgibt. An integrated circuit device that comprises a single semiconductor substrate, a device layer formed on a frontside of the single semiconductor substrate, a redistribution layer formed on a backside of the single semiconductor substrate, a through silicon via (TSV) formed within the single semiconductor substrate that is electrically coupled to the device layer and to the redistribution layer, a logic-memory interface (LMI) formed on a backside of the single semiconductor substrate that is electrically coupled to the redistribution layer, and a MEMS device formed on the backside of the single semiconductor substrate that is electrically coupled to the redistribution layer.