Halbleitervorrichtung

Es ist eine Halbleitervorrichtung beschrieben, bei der metallische Leiter (zum Beispiel aus Cu oder einer Cu-Legierung) mit einem kleinen elektrischen Widerstandswert und einem großen linearen Ausdehnungskoeffizienten zu einem Drahtgeflecht verflochten sind, wobei der Draht mittels eines leitenden V...

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Main Authors IKEDA, OSAMU, TOHEI, TOMOTAKE
Format Patent
LanguageGerman
Published 03.01.2013
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Summary:Es ist eine Halbleitervorrichtung beschrieben, bei der metallische Leiter (zum Beispiel aus Cu oder einer Cu-Legierung) mit einem kleinen elektrischen Widerstandswert und einem großen linearen Ausdehnungskoeffizienten zu einem Drahtgeflecht verflochten sind, wobei der Draht mittels eines leitenden Verbindungsmaterials mit einem Verbindungsabschnitt für den Draht an der Oberseite eines Halbleiterelements der Halbleitervorrichtung verbunden ist. Spannungen im leitenden Verbindungsmaterial aufgrund der linearen Ausdehnung des Leiters mit kleinem elektrischen Widerstand und großem linearen Ausdehnungskoeffizienten werden damit abgebaut, so daß sowohl ein kleiner elektrischer Widerstand als auch eine hohe Zuverlässigkeit der Verbindung erreicht werden kann. Es wird damit eine Technik zum Verbinden von Anschlüssen an der Oberseite des Leistungs-Halbleiterelements mit einem kleinen elektrischen Widerstand und einer hohen Zuverlässigkeit der Drahtverbindung erhalten. Disclosed is a semiconductor device wherein a metal conductor (for instance, Cu or a Cu alloy) having a low electrical resistance value and a high linear expansion coefficient is braided into a braided wire, and the wire is connected using a conductive bonding material to the wiring connecting portion on the upper surface of the semiconductor element of the semiconductor device. Thus, strain of the conductive bonding material due to linear expansion of the conductor having the low electrical resistance and the high linear expansion coefficient is suppressed, and both the low electrical resistance and high connecting reliability can be achieved. Thus, the technology of connecting the wiring on the upper surface of the power semiconductor element by having the low electrical resistance and high reliability wire bonding is provided.
Bibliography:Application Number: DE20101105383T