Nitridfilmstruktur und Verfahren zum Herstellen derselben
Halbleiterdünnschichtstruktur mit: einem Nicht-Nitrid-Substrat (100; 300; 400; 500; 600; 700; 800; 900); einer Mehrzahl von auf das Substrat aufgebrachten hohlen Partikeln (105; 305; 405; 505; 605; 705; 805'; 905); und einer über dem Substrat (100; 300; 400; 500; 600; 700; 800; 900) ausgebildet...
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Format | Patent |
Language | German |
Published |
20.04.2017
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