Nitridfilmstruktur und Verfahren zum Herstellen derselben

Halbleiterdünnschichtstruktur mit: einem Nicht-Nitrid-Substrat (100; 300; 400; 500; 600; 700; 800; 900); einer Mehrzahl von auf das Substrat aufgebrachten hohlen Partikeln (105; 305; 405; 505; 605; 705; 805'; 905); und einer über dem Substrat (100; 300; 400; 500; 600; 700; 800; 900) ausgebildet...

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Main Authors Kim, Jong-Hak, Char, Kook-Heon, Yoon, Eui-Joon, Woo, Hee-Je, Oh, Se-Won
Format Patent
LanguageGerman
Published 20.04.2017
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