Trenched-Gate-Feldeffekttransistoren und Verfahren zum Bilden derselben

• Main Authors: Yilmaz, Hamza, Rexer, Christopher Lawrence, Sapp, Steven P, Herrick, Robert, Losee, Becky, Probst, Dean E, Thorup, Paul, Kocon, Christopher Boguslaw, Calafut, Daniel
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 27.09.2018
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Struktur mit einem Trench-Feldeffekttransistor (FET) und einer Schottky-Diode, die monolithisch integriert sind, wobei die Struktur ferner umfasst:einen Gate-Graben (1106, 1206, 1306, 1406, 1506, 1606), der sich in einen Halbleiterbereich erstreckt;eine Gate-Elektrode (1110, 1210, 1310, 1410, 1510), die in dem Gate-Graben (1106, 1206, 1306, 1406, 1506, 1606) angeordnet ist;ein Dielektrikummaterial (1108, 1208, 1308, 1408, 1508, 1608), das über der Gate-Elektrode (1110, 1210, 1310, 1410, 1510) angeordnet ist;einen Halbleiter-Source-Spacer (1114, 1214, 1314, 1415, 1517, 1615), der derart an einer Seite des Gate-Grabens (1106, 1206, 1306, 1406, 1506, 1606) angeordnet ist, dass der Halbleiter-Source-Spacer (1114, 1214, 1314, 1415, 1517, 1615) zumindest einen Abschnitt einer Kontaktöffnung definiert, wobei der Halbleiter-Source-Spacer (1114, 1214, 1314, 1415, 1517, 1615) Polysilizium enthält; undeine Leiterschicht (1120, 1220, 1320, 1421, 1621), die in der Kontaktöffnung angeordnet ist und den Halbleiter-Source-Spacer (1114, 1214, 1314, 1415, 1517, 1615) sowie den Halbleiterbereich kontaktiert, wobei die Leiterschicht (1120, 1220, 1320, 1421, 1621) einen Schottky-Kontakt mit dem Halbleiterbereich bildet. In accordance with an embodiment a structure can include a monolithically integrated trench field-effect transistor (FET) and Schottky diode. The structure can include a first gate trench extending into a semiconductor region, a second gate trench extending into the semiconductor region, and a source region flanking a side of the first gate trench. The source region can have a substantially triangular shape, and a contact opening extending into the semiconductor region between the first gate trench and the second gate trench. The structure can include a conductor layer disposed in the contact opening to electrically contact the source region along at least a portion of a slanted sidewall of the source region, and the semiconductor region along a bottom portion of the contact opening. The conductor layer can form a Schottky contact with the semiconductor region.