Halbleiterbauteil und dieses verwendender integrierter Schaltkreis

• Main Authors: Fujihira, Tatsuhiko, Yoshida, Kazuhiko, Kumagai, Naoki, Ichimura, Takeshi
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 02.02.2017
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Halbleiterbauteil, umfassend: ein Halbleitersubstrat (43, 44) bestehend aus einer Epitaxialschicht (43) eines zweiten Leitfähigkeitstyps und einer Substratschicht (44) des zweiten Leitfähigkeitstyps mit höherer Dotierung als die Epitaxialschicht (43); eine erste Topfregion (41) eines ersten Leitfähigkeitstyps in der Epitaxialschicht (43) des Halbleitersubstrats; eine zweite Topfregion (42) des ersten Leitfähigkeitstyps in der Epitaxialschicht (43) des Halbleitersubstrats; einen lateralen MOSFET (21) in der ersten Topfregion (41), der eine Quellenelektrode (53) und eine Abflußelektrode (52) umfaßt; einen vertikalen Stoßspannungsabsorber (56) in der zweiten Topfregion (42), der eine Oberflächenelektrode (48) umfaßt; eine Metallelektrodenverdrahtung (54), die die Quellenelektrode (53) oder die Abflußelektrode (52) des MOSFETs mit der Oberflächenelektrode (48) des vertikalen Stoßspannungsabsorbers (56) elektrisch verbindet, wobei der vertikale Stoßspannungsabsorber eine vertikale Zenerdiode (56) ist, deren pn-Übergang durch die pn-Sperrschicht zwischen der zweiten Topfregion (42) und der Epitaxialschicht des Halbleitersubstrats (43, 44) gebildet ist, wobei die vertikale Zenerdiode (56) aus einer hochdotierten Region (62) des ersten Leitfähigkeitstyps unter der Oberflächenelektrode (48) in der zweiten Topfregion (42), einer weiteren hochdotierten Region des ersten Leitfähigkeitstyps (63) in der zweiten Topfregion (42), der zweiten Topfregion (42), der Epitaxialschicht (43) und der Substratschicht (44) gebildet ist, wobei die hochdotierte Region (62) des ersten Leitfähigkeitstyps niedriger dotiert ist als die weitere hochdotierte Region (63) des ersten Leitfähigkeitstyps und über diese mit der Oberflächenelektrode elektrisch verbunden ist. The semiconductor substrate (43, 44) carries first and second cup-shaped zones (41, 42). The first (41) includes a lateral MOSFET (21) with source and drain electrode (53, 52). The second includes a vertical transient attenuator (56) including a surface electrode (48). A metallic connection (54) is made between the source or drain of the MOSFET and the surface electrode of the transient attenuator.