Etching of tungsten involves using a gas mixture that contains nitrogen trifluoride, hydrogen bromide, and oxygen
A process for etching tungsten, comprises using a gas mixture that contains NF3, HBr and O2. The etching is anisotropic, and the mixture contains an inert gas. Etching takes place at 30-70o>C. In einem Ätzprozessschritt zum Ätzen von Wolfram wird ein Gasgemisch verwendet, das NF¶3¶, HBr und O¶2¶...
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Format | Patent |
Language | English German |
Published |
21.07.2005
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Edition | 7 |
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Summary: | A process for etching tungsten, comprises using a gas mixture that contains NF3, HBr and O2. The etching is anisotropic, and the mixture contains an inert gas. Etching takes place at 30-70o>C.
In einem Ätzprozessschritt zum Ätzen von Wolfram wird ein Gasgemisch verwendet, das NF¶3¶, HBr und O¶2¶ enthält. Dadurch kann unabhängig voneinander die Seitenwandpassivierung der Wolfram-Strukturen und die Selektivität zu Polysilizium kontrolliert werden. |
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Bibliography: | Application Number: DE2003158025 |