Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement
Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper, umfassend eine erste Hauptfläche (5), eine zweite Hauptfläche (9) und eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge (4) mit einer elektromagnetische Strahlung erzeugenden aktiven Zone (7), wobei die Halbleiterschichtenfolge (4) den...
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Format | Patent |
Language | German |
Published |
24.02.2022
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Summary: | Strahlungemittierendes Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper, umfassend eine erste Hauptfläche (5), eine zweite Hauptfläche (9) und eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge (4) mit einer elektromagnetische Strahlung erzeugenden aktiven Zone (7), wobei die Halbleiterschichtenfolge (4) den Halbleiterkörper bildet und zwischen der ersten und der zweiten Hauptfläche (5,9) angeordnet ist, wobeieine erste nicht-epitaktische Stromaufweitungsschicht (3) außerhalb des Halbleiterkörpers auf der ersten Hauptfläche (5) angeordnet und mit der Halbleiterschichtenfolge (4) elektrisch leitend verbunden ist;eine zweite nicht-epitaktische Stromaufweitungsschicht (10) außerhalb des Halbleiterkörpers auf der zweiten Hauptfläche (9) angeordnet und mit der Halbleiterschichtenfolge (4) elektrisch leitend verbunden ist; unddie erste nicht-epitaktische Stromaufweitungsschicht (3) und die zweite nicht-epitaktische Stromaufweitungsschicht (10) ein strahlungsdurchlässiges leitfähiges Oxid enthalten.
The invention relates to a radiation emitting semi-conductor element with a semi-conductor body, comprising a first main surface (5), a second main surface (9) and a semi-conductor layer sequence (4) with an active zone (7) generating electromagnetic radiation. The semi-conductor layer sequence (4) is arranged between the first and the second main surface (5,9), a first current expansion layer (3) is arranged on the first main surface (5) and is joined in an electrically conducting manner to the semi-conductor layer sequence (4) and a second current expansion layer (10) is arranged on the second main surface (9) and is joined in an electrically conducting manner to the semi-conductor layer sequence (4). |
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Bibliography: | Application Number: DE20031046605 |