Production of a trench capacitor comprises forming a trench in a substrate using a hard mask with a corresponding opening, placing a capacitor dielectric in the trench and over the mask, and further processing

• Main Author: SCHOLZ, ARND
• Format: Patent
• Language: English; German
• Published: 17.03.2005
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Production of a trench capacitor comprises forming a trench (5) in a substrate (1) using a hard mask (2, 3) with a corresponding opening, placing a capacitor dielectric (30) in the trench and over the mask, pouring an electrically conducting filler (20) into the trench until it is below the upper side of an insulating collar (10), exposing an insulating region (IS) of the substrate above the upper side of the collar and forming an insulating layer (70) in the trench on the insulating region, exposing a contact region (KS) of the substrate lying opposite the insulating region and forming a conducting layer (90) in the trench on the contact region by selective epitaxy, and pouring a further conducting filler (21) in the trench above the sunk conducting filler (20). Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für einen Grabenkondensator mit einem Isolationskragen (10) in einem Substrat (1), der über einen vergrabenen Kontakt einseitig mit dem Substrat (1) elektrisch verbunden ist, insbesondere für eine Halbleiterspeicherzelle mit einem in dem Substrat (1) vorgesehenen und über den vergrabenen Kontakt angeschlossenen planaren Auswahltransistor, mit den Schritten: Vorsehen von einem Graben (5) in dem Substrat (1) unter Verwendung einer Hartmaske (2, 3) mit einer entsprechenden Maskenöffnung; Vorsehen von einem Kondensatordielektrikum (30) im Graben (5) und über der Hartmaske (2, 3); Vorsehen einer elektrisch leitenden Füllung (20) im Graben (5), die bis unterhalb der Oberseite des Isolationskragens (10) eingesenkt ist; Freilegen eines Isolationsbereichs (IS) des Substrats (1) im Graben (5) oberhalb der Oberseite des Isolationskragens (10) und Vorsehen einer Isolationsschicht (70; 170) im Graben (5) auf dem Isolationsbereich (IS); Freilegen eines dem Isolationsbereich (IS) gegenüberliegenden Kontaktbereichs (KS) des Substrats (1) im Graben (5) und Vorsehen einer leitenden Schicht (90; 190) im Graben (5) auf dem Kontaktbereich (KS) durch selektive Epitaxie und Vorsehen einer weiteren leitenden Füllung (21; 121) im Graben (5) oberhalb der eingesenkten leitenden Füllung (30), welche über die leitende Schicht (90; 190) mit dem Kontaktbereich (KS) in leitender Verbindung steht und welche durch die Isolationsschicht (70; ...