Method for adjusting substrate, e.g. semiconductor wafer, prior to projection in exposure appliance, using two planes on test substrate for two subsequently exposed planes

• Main Authors: ZIEBOLD, RALF, ROESIGER, MARTIN, FUELBER, CARSTEN
• Format: Patent
• Language: English; German
• Published: 03.03.2005
• Edition: 7
• Subjects: APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CINEMATOGRAPHY; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; PHOTOGRAPHY; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES; PHYSICS; SEMICONDUCTOR DEVICES

Firstly element (20) of first structure (2) and first measuring mark (6) is projected into first layer on test substrate, followed by projecting element (40), allocated to first element, as part of second structure (4), and of second mark (8), into second layer on substrate.First transposition (103) between two measuring marks on substrate is measured, as is second different transposition (104) between two transpositions is computed for correcting adjustment of substrate, due to lens distortion of exposure appliance. Es wird für zwei aufeinanderfolgend belichtete Ebenen (DT, AA) auf einem Testsubstrat ein erster Versatz (103) zwischen einer ersten (6) und zweiten Overlay-Meßmarke (8) der beiden Ebenen und ein zweiter Versatz (104) zwischen einem ersten (20) und einem zweiten (40) Element von Strukturen (2, 4) der jeweiligen Ebenen gemessen. Die Elemente (20, 40) besitzen eine Breite nahe an der Auflösungsgrenze des Belichtungsgerätes. Sie unterliegen somit einem größeren Abbildungsfehler (80, 81) aufgrund von Linsenverzeichnungen als die Meßmarken (6, 8). Der Offset zwischen dem ersten (103) und dem zweiten Versatz (104) wird bestimmt und als Korrektur für die durch Justiermarkenvergleich bestimmte Belichtungsposition bei der Justage eines nachfolgend zu belichtenden Substrates hinzuaddiert, so daß die Strukturen (2, 4) anstatt der Justier- oder Overlay-Meßmarken mit hoher Genauigkeit aufeinander adjustiert werden.