Production of boron-doped silicon wafer, used as substrate for electronic element, e.g. processor or memory element, includes polishing with aqueous alkaline polish containing silica and alkali metal or ammonium polyaminocarboxylate

In producing boron-doped silicon (Si:B) wafers by dividing Si:B crystal into wafers, machining, wet chemical etching front and back to remove not less than 10 mum Si and continuously polishing at least front, to remove not less than 10 mum Si, with aqueous polish, pH 10-12, containing 0.1-10 wt.% si...

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Bibliographic Details
Main Author WENSKI, GUIDO
Format Patent
LanguageEnglish
German
Published 18.12.2003
Edition7
Subjects
ADHESIVES
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
CHEMISTRY
DYES
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
METALLURGY
MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS
MISCELLANEOUS COMPOSITIONS
NATURAL RESINS
PAINTS
POLISHES
POLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH
SEMICONDUCTOR DEVICES
SKI WAXES
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Summary:In producing boron-doped silicon (Si:B) wafers by dividing Si:B crystal into wafers, machining, wet chemical etching front and back to remove not less than 10 mum Si and continuously polishing at least front, to remove not less than 10 mum Si, with aqueous polish, pH 10-12, containing 0.1-10 wt.% silica (SiO2), polish contains 0.00001-5 wt.% polyaminocarboxylic acid(s) (I) as alkali metal and/or ammonium salt but no added oxidant or amine compounds. An Independent claim is also included for the polish for per se. Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Bor-dotierten Siliciumscheibe durch Zerteilen eines Bor-dotierten Siliciumkristalls in Scheiben, mechanische Formgebung, nasschemisches Ätzen einer Vorderseite und einer Rückseite unter Abtrag von mindestens 10 mum Silicium und Polieren mindestens einer Vorderseite der Siliciumscheibe unter Abtrag von mindestens 10 mum Silicium, wobei das Polieren unter kontinuierlicher Zuführung eines Kieselsäure enthaltenden wässrigen Poliermittels mit einem Feststoffanteil von 0,1 bis 10 Masse-% SiO¶2¶ und einem pH-Wert von 10 bis 12 erfolgt, das sich dadurch auszeichnet, dass das Poliermittel eine oder mehrere Polyaminocarbonsäuren in Form eines Alkalimetall- und/oder Ammoniumsalzes in einem Anteil von 0,00001 bis 5 Masse-%, jedoch weder Zusätze von Oxidationsmittel noch Zusätze von Aminverbindungen, enthält.
Bibliography:Application Number: DE2002147201