Process for electrically insulating structured metal layers on a semiconductor substrate comprises applying a high density plasma oxide layer to fill a structured metal layer, planarizing the oxide layer, and applying a covering oxide layer

• Main Author: BOSK, PETER
• Format: Patent
• Language: English; German
• Published: 30.10.2003
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Process for electrically insulating structured metal layers on a semiconductor substrate comprises applying a high density plasma oxide layer (3) to fill a structured metal layer (2) up to its surface, planarizing the oxide layer using chemical-mechanical polishing selectively on the structured metal layers, and applying a covering oxide layer (5) to cover both the metal layers and the oxide layer. Zum elektrischen Isolieren von strukturierten Metalllagen auf einem Halbleitersubstrat wird eine HDP-Oxidschicht zum Auffüllen einer strukturierten Metalllage aufgebracht, die wenigstens bis zur Oberfläche der Metalllage reicht, wobei dann die HDP-Oxidschicht mittels chemisch-mechanischen Polierens selektiv zur Metalllage planarisiert und abschließend eine Deck-Oxidschicht zum Bedecken der strukturierten Metalllage und der planarisierten HDP-Oxidschicht aufgebracht wird.