Mikrostrukturbauelement, insbesondere mikrostrukturiertes Hochfrequenzbauelement

• Main Authors: ULM, MARKUS, MUELLER-FIEDLER, ROLAND, REIMANN, MATHIAS, DENIZ, HUERSEN, SCHWEGLER, LEONORE
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 29.01.2004
• Edition: 7
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Es wird ein Mikrostrukturbauelement (5), insbesondere ein mikrostrukturiertes Hochfrequenzbauelement, mit einem Grundkörper (11) vorgeschlagen, auf dem bereichsweise eine insbesondere planare Leiterstruktur (17, 17', 17'', 17''') angeordnet ist. Weiter ist ein Dichtungsbereich (16) vorgesehen, in dem die Leiterstruktur (17, 17', 17'', 17''') von dem Grundkörper (11) und einem Glas (19) umschlossen ist. Die mit dem Glas (19) eingeschlossene Leiterstruktur (17, 17', 17'', 17''') dient vor allem als hermetisch dichte Durchführung für hochfrequente elektromagnetische Wellen aus dem Innenraum (21) eines verkappten Bauteils (12) oder Sensorelementes. The invention relates to a microstructural component (5), especially a microstructured high-frequency component, comprising a base body (11) on which an especially planar conductor structure (17, 17', 17", 17" ) is partially arranged. A seal area (16) is also provided wherein the conductor structure (17, 17', 17", 17" ) is enclosed by the base body (11) and glass (19). The conductor structure (17, 17', 17", 17" ), which is enclosed by the glass (19), is primarily used as a hermetically sealed leadthrough for high-frequency electromagnetic waves from the inner chamber (21) of a capped component (12) or sensor element.