Verfahren zur Herstellung einer mit einem Schaltungsträger bestückten SMD-Halbleiterbauelementbaugruppe, SMD-Halbleiterbauelementbaugruppe sowie Schaltungsträger

• Main Authors: Steger, Jürgen, Göbl, Christian
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 02.10.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CURRENT COLLECTORS; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; LINE CONNECTORS; MACHINE TOOLS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; PERFORMING OPERATIONS; PRINTED CIRCUITS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SOLDERING OR UNSOLDERING; TRANSPORTING; WELDING; WORKING BY LASER BEAM

Verfahren zur Herstellung einer mit einem Schaltungsträger (100) bestückten SMD-Halbleiterbauelementbaugruppe umfassend:Bereitstellen eines mit Kontaktstellen (3) einer Leiterbahnstruktur (2a) und einer Isolierung versehenen SMD-Schaltungsträger (1), vorzugsweise IMS-Substrats oder Leadframes,Bereitstellen eines Schaltungsträgers (100) mit einer zumindest teilweise mit einem elektrischen Leiter versehenen ersten Hauptseite (102) sowie einer der ersten Hauptseite (102) gegenüberliegenden, zumindest teilweise mit dem elektrischen Leiter versehenen zweiten Hauptseite (103), wobei in dem Schaltungsträger (100) mindestens ein mit dem elektrischen Leiter versehenes Sackloch (108) mit einem Sachlochboden (104) vorgesehen ist, und der Sacklochboden (104), vorzugsweise ausschließlich, durch mindestens eine Schicht des elektrischen Leiters gebildet ist,Positionieren des Sacklochbodens (104) des Schaltungsträger (100) in Anlagekontakt an einer Kontaktstelle (3) des SMD-Schaltungsträgers (1) undelektrisches Kontaktieren durch Aufschmelzen des Sacklochbodens (104) des Schaltungsträgers (100) sowie der Kontaktstelle (3) des SMD-Schaltungsträgers (1) mittels Laserschweißen.