Optoelektronischer Halbleiterchip mit reflektierendem Schichtsystem

Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Der Halbleiterchip umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (10) zum Emittieren elektromagnetischer Strahlung (2) und ein reflektives Schichtsystem. Das Schichtsystem umfasst einen für die e...

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Main Authors Alarcon Villaseca, Sebastian, Huber, Michael, Wiesmann, Christopher, Walter, Robert, Peter, Walter
Format Patent
LanguageGerman
Published 19.09.2024
Subjects
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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Summary:Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Der Halbleiterchip umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (10) zum Emittieren elektromagnetischer Strahlung (2) und ein reflektives Schichtsystem. Das Schichtsystem umfasst einen für die elektromagnetische Strahlung (2) reflektiven Spiegel und eine für die elektromagnetische Strahlung (2) reflektive Metallschicht (30) sowie eine Haftverbesserungsschicht (40). Die Haftverbesserungsschicht (40) ist zwischen dem Spiegel und der Metallschicht (30) angeordnet. The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip (1) and to a corresponding production method. The semiconductor chip comprises a semiconductor layer sequence (10) for emitting electromagnetic radiation (2), and a reflective layer system. The layer system comprises a mirror which reflects the electromagnetic radiation (2), a metal layer (30) which reflects the electromagnetic radiation (2), and an adhesion-enhancing layer (40). The adhesion-enhancing layer (40) is arranged between the mirror and the metal layer (30).
Bibliography:Application Number: DE202310106511