Komponente für eine Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithografie und Verfahren zur Herstellung der Komponente

Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage (1,101) für die Halbleiterlithographie mit mindestens einer Komponente (30), wobei die Komponente (30) mindestens ein optomechatronisches Funktionselement (32,33,35,36,39,50,54,57,60,70) umfasst und mindestens teilweise durch ein Diffusionssch...

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Main Authors Moeller, Timo, Czap, Almut
Format Patent
LanguageGerman
Published 01.12.2022
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Summary:Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage (1,101) für die Halbleiterlithographie mit mindestens einer Komponente (30), wobei die Komponente (30) mindestens ein optomechatronisches Funktionselement (32,33,35,36,39,50,54,57,60,70) umfasst und mindestens teilweise durch ein Diffusionsschweißverfahren hergestellt ist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer mit einem additiven Verfahren unter Zuhilfenahme von Diffusionsschweißen hergestellten Komponente (30), wobei die Komponente (30) mindestens ein optomechatronisches Funktionselement (32,33,35,36,39,50,54,57,60,70) umfasst.
Bibliography:Application Number: DE202210210132