Vorrichtungen und Verfahren zum Vorspannen von rauscharmen Verstärkern

• Main Authors: Nagarajan, Sachin, Song, Christopher, Choi, Yunyoung, Devaraj, Abhishekh, Thoomu, Kiran Tej, Balteanu, Florinel G, Liu, Wei
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 26.01.2023
• Subjects: AMPLIFIERS; BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY; ELECTRICITY

Vorrichtungen und Verfahren zum Vorspannen von rauscharmen Verstärkern (LNAs) werden hierin offenbart. In bestimmten Ausführungsformen umfasst ein LNA zumindest einen Transistor, der ein Hochfrequenzeingangssignal (RF-Eingangssignal) verstärkt sowie eine Vorspannungsschaltung, welche eine Stromvorspannungsschaltung, die einen Vorspannungsstrom auf der Basis eines Referenzstroms erzeugt, und eine Spannungsvorspannungsschaltung aufweist, die zumindest eine Eingangsvorspannung auf der Basis des Vorspannungsstroms für den zumindest einen Transistor erzeugt. Die Stromvorspannungsschaltung weist einen ersten Vorspannungstransistor, welcher den Referenzstrom empfängt, einen zweiten Vorspannungstransistor, welcher den Vorspannungsstrom erzeugt, und einen Verstärker auf, welcher eine erste Vorspannung des ersten Vorspannungstransistors so steuert, dass sie einer zweiten Vorspannung des zweiten Vorspannungstransistors entspricht. Apparatus and methods for biasing of low noise amplifiers (LNAs) are provided herein. In certain embodiments, an LNA includes at least one transistor that amplifies a radio frequency (RF) input signal, and a bias circuit including a current bias circuit that generates a bias current based on a reference current and a voltage bias circuit that generates at least one input bias voltage for the at least one transistor based on the bias current. The current bias circuit includes a first bias transistor that receives the reference current, a second bias transistor that generates the bias current, and an amplifier that controls a first bias voltage of the first bias transistor to match a second bias voltage of the second bias transistor.