PIXELTREIBERSCHALTUNG, ANZEIGETAFEL, UND ANZEIGEVORRICHTUNG

• Main Authors: Zhou, Xiufeng, Yuan, Xin, Yuan, Haijiang
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 04.01.2024
• Subjects: ADVERTISING; ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICESUSING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION; BASIC ELECTRIC ELEMENTS; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; EDUCATION; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; PHYSICS; SEALS; SEMICONDUCTOR DEVICES

Die vorliegende Anmeldung stellt eine Pixeltreiberschaltung, ein Anzeigefeld, und eine Anzeigevorrichtung bereit. Die Pixeltreiberschaltung umfasst: einen Treibertransistor (Tm), einen Spannungsreglertransistor, und einen Speicherkondensator (Cst), wobei eine Gate-Metallschicht und eine aktive Schicht an dem sich bildenden Steuerungsende des Spannungsreglertransistors einen Grabenöffnungskondensator bildet, wobei das Verhältnis der Fläche des Grabenöffnungskondensators zum Kapazitätswert des Speicherkondensators kleiner ist als ein voreingestellter Wert, wobei eine Überlappungsfläche der Gate-Metallschicht direkt gegenüber der aktiven Schicht liegt, wobei der voreingestellte Wert auf der Grundlage des Verhältnisses der Spannungsänderung am Steuerungsende des Treibertransistors zur Potentialspannung bestimmt wird. Bei dem die Pixeltreiberschaltung durch die Gestaltung des Verhältnisses zwischen den Grabenöffnungskondensator und der Speicherkapazität des Spannungsreglertransistors entworfen wird, wodurch ein neues Kapazitätskonfigurationsschema bereitgestellt wird, das die Steuerung der Variablen ermöglicht, die Spannungsschwankungen verursachen, die Wirkung weiterer Potenziale aufgrund von Unterschieden in den Bauelementeeigenschaften, die durch Prozessschwankungen verursacht werden, wirksam reduzieren kann und somit die besten Ergebnisse bei der Anzeigequalität erzielt. A pixel driving circuit includes a driving transistor, a voltage stabilizing transistor, and a storage capacitance. A gate metal layer of a gate electrode of the voltage stabilizing transistor that serves as the control terminal of the voltage stabilizing transistor, and an active layer are constituted as a channel on-state capacitance, a ratio of an area of the channel on-state capacitance to a capacitance value of the storage capacitance is less than a preset value the area of the channel on-state capacitance is a directly opposite overlapping area between the gate metal layer and the active layer. This preset value is determined based on a ratio of a voltage fluctuation at a control terminal of the driving transistor to a potential voltage. A correlation between the channel on-state capacitance and the storage capacitance of the voltage stabilizing transistor is determined, so that a new capacitance configuration method is provided.