OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT EPITAKTISCH GEWACHSENER SCHICHT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS

• Main Authors: Hoffmann, Marc, Kueller, Viola Miran, Lugauer, Hans-Jürgen, Off, Jürgen
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 15.02.2024
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) umfasst eine erste Halbleiterschicht (120) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (110) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, und eine aktive Zone (115), die zwischen der ersten Halbleiterschicht (120) und der zweiten Halbleiterschicht (110) angeordnet ist. Das optoelektronische Halbleiterbauelement (10) umfasst ferner eine epitaktisch aufgewachsene Schicht (130) über einer ersten Hauptoberfläche (112) der ersten Halbleiterschicht (120) und eine leitfähige Schicht (140) über der epitaktisch aufgewachsenen Schicht (130). Die leitfähige Schicht (140) ist über Öffnungen in der epitaktisch aufgewachsenen Schicht (130) mit der ersten Halbleiterschicht (120) elektrisch verbunden. The invention relates to an optoelectronic semiconductor component (10) comprising a first semiconductor layer (120) of a first conductivity type, a second semiconductor layer (110) of a second conductivity type, and an active zone (115) arranged between the first semiconductor layer (120) and the second semiconductor layer (110). The optoelectronic semiconductor component (10) also comprises an epitaxially grown layer (130) over a first main surface (112) of the first semiconductor layer (120) and a conductive layer (140) over the epitaxially grown layer (130). The conductive layer (140) is electrically connected to the first semiconductor layer (120) via openings in the epitaxially grown layer (130).