OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT

• Main Authors: Eichler, Christoph, Wurm, Teresa
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 02.11.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; DEVICES USING STIMULATED EMISSION; ELECTRICITY

Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) umfassend einen Halbleiterkörper (10) mit einem n-leitenden Bereich (101), einem p-leitenden Bereich (102) und einem zur Emission von elektromagnetischer Strahlung eingerichteten aktiven Bereich (103) angegeben. Der aktive Bereich (103) ist zwischen dem n-leitenden Bereich (101) und dem p-leitenden Bereich (102) angeordnet. Der p-leitende Bereich (102) umfasst einen Abstandsbereich (121) und einen p-dotierten Dotierbereich (122). Der Abstandsbereich (121) ist zwischen dem Dotierbereich (122) und dem aktiven Bereich (103) angeordnet und umfasst eine erste Abstandsschicht (1211), die Aluminium aufweist. The invention relates to an optoelectronic semiconductor component (1) comprising a semiconductor body (10) with an n-type region (101), a p-type region (102), and an active region (103) which is designed to emit electromagnetic radiation. The active region (103) is arranged between the n-type region (101) and the p-type region (102). The p-type region (102) comprises a spacing region (121) and a p-doped doping region (122), and the spacing region (121) is arranged between the doping region (22) and the active region (103) and comprises a first spacing layer (1211) which has aluminum. The invention further relates to a method for producing an optoelectronic semiconductor component (1).