VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON MIKRO-HALBLEITER-LEUCHTDIODEN-STRUKTUREN UND HALBLEITER-LEUCHTDIODE

• Main Authors: Kreiner, Laura, Lex, Andreas, Avramescu, Adrian Stefan
• Format: Patent
• Language: German
• Published: 22.06.2023
• Subjects: BASIC ELECTRIC ELEMENTS; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR DEVICES

Verfahren zum Herstellen von Mikro-Halbleiter-LED-Strukturen (6) in einem Wafer (10), bei dem auf einem Aufwachssubstratwafer (1) eine Halbleiterschicht (2) epitaktisch aufgewachsen wird. Auf die Halbleiterschicht (2) wird eine Hartmaskenmaterialschicht (3) aufgebracht. Nachfolgend wird die Hartmaskenmaterialschicht (3) mit einer Vielzahl von nebeneinander angeordneten Fenstern (4) zur Halbleiterschicht (2) hin versehen. In den Fenstern (4) werden mittels Sublimation Vertiefungen (5) in die Halbleiterschicht (2) eingebracht. Nachfolgend wird in den Vertiefungen (5) jeweils eine Halbleiter-Leuchtdiodenstruktur (6) epitaktisch aufgewachsen. Weiterhin wird eine Halbleiter-Leuchtdiode mit einer Vielzahl von derartigen Mikro-Halbleiter-LED-Strukturen angegeben. The invention relates to a method for producing miniature semiconductor LED structures (6) in a wafer (10), in which a semiconductor layer (2) is grown epitaxially on a growth substrate wafer (1). A hard-mask material layer (3) is applied on the semiconductor layer (2). The hard-mask material layer (3) is then provided with a plurality of adjacently arranged windows (4) facing towards the semiconductor layer (2). Depressions (5) are introduced into the semiconductor layer (2) in the windows (4) by means of sublimation. A semiconductor light-emitting diode structure (6) is then epitaxially grown in each of the depressions (5). Also disclosed is a semiconductor light-emitting diode having a plurality of such miniature semiconductor LED structures.